中碳
基礎化工至高科技應用: 短期從傳統的化工苯/甲苯、建材用雜酚油、煉鋁廠用預焙陽極,強勢進軍至爆炸性成長的電動車鋰電池芯 (負極材料)、超級電容,以及第三代半導體 (SiC) 碳化矽長晶用之超純高溫碳粉原料。
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第三方研究:My-TW-Coverage 版本日期 2026-03-26歷史研究,非今日現況;個別敘述尚未逐項核實MIT 授權
基礎化工至高科技應用: 短期從傳統的化工苯/甲苯、建材用雜酚油、煉鋁廠用預焙陽極,強勢進軍至爆炸性成長的電動車鋰電池芯 (負極材料)、超級電容,以及第三代半導體 (SiC) 碳化矽長晶用之超純高溫碳粉原料。
功率元件: MOSFET、IGBT、碳化矽 (SiC) 功率元件
功率元件: Infineon、ON Semiconductor (onsemi) — SiC/MOSFET 功率元件
功率元件: MOSFET/IGBT/SiC 供應
茂矽電子 (2342) 是一家從 DRAM 製造轉型為功率半導體晶圓代工的專業廠商。公司主力產品包括溝槽式 MOSFET、溝槽式 IGBT、蕭特基二極體及各類整流二極體,廣泛應用於車用電子、工業電子、太陽能逆變器及儲能系統。車用電子已占營收近五成,公司並積極布局碳化矽 (SiC) 功率元件,預計 2026 年成為新成長動能。
SiC 基板: 碳化矽基板供應 (新產品線)
統懋半導體 (2434) 是一家垂直整合的專業功率半導體製造商,前身為統一集團電子事業部,成立於 1987 年。公司主力產品為蕭特基二極體 (占營收約 85%)、功率電晶體 (約 14%),以及新興的 Power MOSFET、碳化矽 (SiC) 蕭特基及 IGBT 模塊。產品廣泛應用於資訊、通訊、消費電子及工業電子領域,亞洲市場占比達 94%。
強茂 (2481) 是台灣領先的功率半導體垂直整合製造商 (IDM),全球第六大整流器元件廠。公司產品涵蓋 MOSFET、蕭特基二極體、碳化矽 (SiC) 元件、IGBT、TVS 保護元件及馬達控制 IC。公司積極從消費電子轉型聚焦車用電子 (營收占比已近 30%,目標 40%)、工業控制、綠能及 AI 伺服器市場。外銷占 89%,亞洲市場占 76%。
SiC 基板: 碳化矽晶圓基板
矽晶圓: 功率級矽晶圓及 SiC 基板供應商
嘉晶電子 (3016) 是漢磊投控旗下的專業磊晶矽晶圓廠,為台灣唯一能量產 4 吋及 6 吋碳化矽 (SiC) 磊晶及 6 吋氮化鎵 (GaN) 磊晶的廠商。公司業務涵蓋矽磊晶代工 (占 2024 年營收約 60%) 及磊晶矽晶圓生產 (約 40%),產品應用於功率元件、電動車、智慧電網、儲能系統及電源供應器。
矽晶圓基板: 矽及 SiC 晶圓基板
國際 IDM: 國際功率半導體 IDM 廠 (SiC 磊晶代工)
製造端:專攻高壓、高容、特殊規格 MLCC,避開 國巨、華新科 等標準品紅海競爭,自有品牌 Holy Stone 在電源與網通領域具知名度。代理端:代理 ROHM、Vishay、Azoteq 等國際大廠之半導體與感測器產品。近年積極布局車用、工控與綠能應用之高階 MLCC,並發展 碳化矽 (SiC) 基板金屬化與 AMB 基板等先進製程。
碳化矽基板: 禾伸堂 (SiC 基板金屬化/AMB 基板)
3. 先進製程技術: 具備 HBT, pHEMT, BiHEMT, GaN-on-SiC 等多樣化製程,滿足高頻、高功率需求。
尼克森微電子 (3317) 是專業電源管理功率元件及類比 IC 設計公司,產品涵蓋 Power MOSFET、碳化矽 (SiC) MOSFET、氮化鎵 (GaN) HEMT、SiC 功率模組及電源管理 IC。產品應用於主機板/VGA 卡、電源供應器、車用電子及充電樁。
功率元件: 尼克森 (MOSFET/SiC/GaN 功率 IC 設計)
漢磊科技 (Episil) 成立於 1985 年,總部位於台灣新竹,為 漢民集團 (Hermes-Epitek) 成員。公司為全球第一家 Sub-micron Bipolar/BiCMOS 專業代工廠,近年轉型為 化合物半導體 (Compound Semiconductor) 專業代工廠,專注於 SiC (碳化矽) 及 GaN (氮化鎵) 功率半導體代工。漢磊擁有 6 吋晶圓廠,提供從磊晶 (Epi) 到晶圓製造 (Foundry) 的一站式服務 (與子公司嘉晶合作)。
SiC/GaN 代工: 世界先進、台積電 (氮化鎵)、X-Fab。
核心產品與應用:(1) MOSFET — 低壓與中壓 MOSFET 產品線,廣泛應用於電腦、消費電子電源管理及工業控制;(2) 二極體 — 包含蕭特基二極體 (Schottky)、TVS 保護元件、齊納二極體及整流器,應用於電源供應器與通訊設備;(3) 碳化矽 (SiC) 蕭特基二極體 — 布局第三代半導體,應用於高效率電源轉換。公司採 Fabless 模式,晶圓製造委託專業代工廠,封測則委外於大型 OSAT 廠。產品行銷全球,涵蓋電腦、消費電子、通訊及工業市場。
碳化矽基板: SiC 晶圓供應商 — 第三代半導體材料
核心產品涵蓋:(1) 錳鋅軟磁鐵氧體粉料與磁芯 — 應用於電源供應器、變壓器、濾波器、無線充電器、LED 驅動器等;(2) 鎳鋅軟磁鐵氧體粉料與磁芯 — 應用於 5G 通訊、AI 伺服器 電源、車用電子等高頻領域;(3) 高純度 碳化矽 (SiC) 粉料 — 為第三代半導體 碳化矽 晶圓長晶之關鍵原料,台灣唯一本土供應商。馬來西亞廠 SiC 設備已完成安裝,2025 年 Q2 開始量產交貨,目標供應台灣及海外晶圓廠。鎳鋅/錳鋅軟磁芯月產能分別約 130 噸與 60 噸。
SiC 原料: 碳源與矽源原料供應商
SiC 晶圓廠: 台灣與海外 碳化矽 晶圓製造商 — 高純度 SiC 粉料
富鼎先進電子 (8261,APEC) 為台灣 Power MOSFET 設計公司,台灣第一家成功整合 6 吋 DMOS 製程之 IC 設計公司。產品涵蓋全系列高/低/中壓 Power MOSFET 及 IGBT,應用於交換式電源供應器、PC、散熱風扇及馬達驅動。近期完成 600V-1200V 碳化矽 (SiC) MOSFET 開發。主要股東包括國創半導體及與鴻海、國巨集團之資源合作。
MOSFET/IGBT: 富鼎 (Power MOSFET/IGBT/SiC MOSFET 設計)
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