HBT

3. 先進製程技術: 具備 HBT, pHEMT, BiHEMT, GaN-on-SiC 等多樣化製程，滿足高頻、高功率需求。

英特磊 (IET-KY, IntelliEPI) 成立於 1999 年，總部位於美國德州 (註冊於開曼群島)。公司專注於 分子束磊晶 (MBE) 技術，生產 III-V 族化合物半導體磊晶片 (Epi Wafer)。與常見的 MOCVD 不同，MBE 技術具備原子級精確度，特別適合高頻、高效能元件。產品應用涵蓋 磷化銦 (InP) (光通訊、HBT 射頻)、砷化鎵 (GaAs) (RF、pHEMT) 及 銻化鎵 (GaSb) (紅外線偵測、國防)。近期受惠於 AI 資料中心 對 800G 光收發模組需求，InP 相關磊晶片成長強勁。

光通訊: 國際光通訊大廠 (InP HBT/PD)。

宏捷科技 (8086，AWSC) 為全球第二大砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠，市占率約 24%。專注於 6 吋 GaAs HBT、pHEMT 及 BiHEMT 製程代工，產品應用於 Wi-Fi 及智慧型手機射頻元件 (PA 功率放大器、Switch 及 LNA) 及 3D 感測 VCSEL。最大客戶 Skyworks 貢獻約 56% 營收。