富鼎

業務範圍

公司年報載明，公司及子公司主要從事功率半導體Power MOSFET研究、開發、生產、測試及銷售。（第 67 頁）

產品與應用

公司年報列示目前商品項目包括低壓、中壓及高壓金氧半功率場效電晶體、絕緣閘雙載子功率場效電晶體（IGBT）以及第三代半導體碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）。（第 67 頁）

公司年報載明產品應用領域包括伺服器、汽車、消費電子、工業自動化等相關領域。（第 67 頁）

營收結構

114年度低壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為1,523,261仟元，營業比重49.07%。（第 67 頁）

114年度中壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為994,349仟元，營業比重32.03%。（第 67 頁）

114年度高壓金氧半功率場效電晶體營業淨額為498,641仟元，營業比重16.06%。（第 67 頁）

114年度其他產品營業淨額為88,062仟元，營業比重2.84%。（第 67 頁）

銷售地區

114年度內銷台灣銷售金額為1,166,518仟元，占銷售地區表合計37.58%。（第 72 頁）

114年度外銷亞洲銷售金額為1,932,356仟元，占銷售地區表合計62.25%。（第 72 頁）

主要客戶

某客戶（代號T110089）114年度銷貨金額為331,514仟元，占全年度銷貨淨額10.68%。（第 77 頁）

主要供應商

某供應商（代號FN012）114年度進貨金額為617,220仟元，占全年度進貨淨額28.94%。（第 77 頁）

某供應商（代號PN011）114年度進貨金額為411,819仟元，占全年度進貨淨額19.31%。（第 77 頁）

原料

公司年報列示主要原料與國內外主要供應廠商：磊晶矽晶圓為嘉晶電子，晶圓代工為力積電、華虹，封裝材料為GEM、杰群。（第 77 頁）

市場地位

公司於年報自述，2025年全球功率元件（Power Semiconductor）市場規模約落在530億至560億美元之間。（第 72 頁）

研發

114年度投入之研發費用為137,508仟元。（第 70 頁）

公司於年報自述，114年度開發成功之技術與產品包括第三代中低壓Power MOSFET。（第 70 頁）

人力

114年度員工人數合計為137人（員工人數表未載明為母公司或合併範圍）。（第 78 頁）

展望

公司年報載明，與類比電源IC設計公司合作開發的DrMOS產品將於115年進入量產。（第 67 頁）

公司年報載明，已著手進行高壓氮化鎵GaN的開發，預計115年導入產品線。（第 67 頁）

公司年報載明，650V IGBT完成開發驗證並進行可靠性驗證中，預計115年上半年推出市場。（第 71 頁）

公司年報載明長期業務發展計畫之行銷策略為致力於產品結構之高值化轉型，重點佈局AI運算伺服器、高效能運算（HPC）及車用電子等高門檻市場。（第 72 頁）

外銷比重

公司年報載明，公司及子公司114年度外銷比例為62.42%，主要係以中國大陸及泰國為主。（第 72 頁）

總部

公司總公司地址為新竹縣竹北市台元一街5號12樓。（第 2 頁）